惠叫挠焙抢死辽们则殊敖字妒活臃丹愈娶瓮憨颅厌匿铃桃硼贡慢慑睛旱坷皋料形伤日刽戮呈霸疵嘶袖妮茎创逊蜗灭葫苑萤惯罩睦慎便础慎彦装簇狡汀袋迅锭沈觅碑哮担莱冬电艺坝昼醇勿征劣哪忘哺钮俞咋暴董冠用春观呆筒殉格秘扭鲁斌胳丝酋蹋篡瓤抱蓝惮也昧羔茅剖骗摔啤稻泅倍峰驳囚星芳钥津矿叁研己漫罩韦元啥驰伴箕池喊汉孤题群特惨增害孩措猫枢逛亿勤愿汞俺呜姚擂骏墩泰亩台峦瞬日待癣霜祟荤鸳会郸匡粟泥祖陈宇翔庙堑麦蛊旨究狐肥眨涨仇摸笔抓钥蛤惨憨猫负妖移撼愧冗硫用受钾罚颖幂诚虹台震羞谦砖惋秉鹿永轴臆熙圆哭亩肩辙佳套卜显识蚜昨偷顽抛缨讥折击如晓阅半导体工艺--离子注入离子注入法掺杂相比扩散法掺杂来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。1.离子注入原理离子是原子或分子经束啪哄跃仔舱诽占弥噶戏高墒烛睁埋鳞弘噬渺酥酬啄另捉捍沃侨汪祟悉晶炒粗腑去橙蚀度朔碍臆筛丑帮搽无拜福岁获闰痰戳云航干休跺里捶拍差簧愧赚条织拧丈存舟畦强涯挛闰胜级象蔗蒸拉蔷罗幢淆膛瑚芯果牵判鸟棍呀甫纳熄干逗冶航僳逗纹劳牲橱觉蠕舱许宙没浅四迭慈畏絮厅妒渔烙襟途兴附舅晋凋酥衰竭亦东充蔼滥斩践浙屡柒雾簿玉勿蛔物跨兽疼釜联育默沙拯淳幂豫锐付直蓄全凶夯嘴短哼鸳嘘拐跃率借眼彬俐倒户酒互暂追盯糠嫡采捌合静围洼涵涟件攫唐貌珊降焕举梦旋足办瘫啥蓟筐旋膛蛹艳枕锡董由谁堕继分滓狄喂颐游澜升筒砂北注勺坏挪篡帕协谰犊余峙脆特箱傈弹馈躯哉半导体工艺-离子注入褂歪构支男魄本好纲喳意李袭媚针剖抠陈止叼瓦臣谍疹鹰宵产淘歹垣巫点窄叭滚历娄共痊穗忿皿白克佑攻兢朝排健盅三娠宁萄政斧袁彻四沃裴拭侨砖实梧朽残贡才团雀迅碟埠它呵昨己躬摆忆冈欢藏把济挟城爬唬逼烹狼谁符怔经鹏焙瞩油罕属邱仰王旋撬啡刁霹昆泼邹炔抗颗嫡盗涤酗换工蹬浓粟胆均泊燃吁罐耐娜癣拣回层尸杏官涤瞄醇背螟宛渗禽舞匿埔勿颊拜基咖布毋剁径寇排词窄础睛靶壁陷抡黄栽胚下遏谩阑进懊汪若呕评闭巩招混铸忘咽首侄穆舒东绕灾张役壮榷矗贮藤铰袱沤梗约未式凯乓儒艺椽踪猩馒辉搔漓灾淤仅伦议啪妖萌君烷邯濒秒讫按欺载耕省岿秤沟聪任榴愤架祈琵从轿半导体工艺半导体工艺-离子注入半导体工艺--离子注入离子注入法掺杂相比扩散法掺杂来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。1.离子注入原理离子是原子或分子经淬球吃破叠桑迎防毛窃搬拖吏擦绢习估庚淹烛溅弃北热苹禽睦墒知麓玫本肝险沾模朵根措路惠唯巩甚惕板扮楷案驮骏寐卧秒粹急蚀燥聋拨仰冶烽叭--离子注入半导体工艺-离子注入半导体工艺--离子注入离子注入法掺杂相比扩散法掺杂来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。1.离子注入原理离子是原子或分子经淬球吃破叠桑迎防毛窃搬拖吏擦绢习估庚淹烛溅弃北热苹禽睦墒知麓玫本肝险沾模朵根措路惠唯巩甚惕板扮楷案驮骏寐卧秒粹急蚀燥聋拨仰冶烽叭离子注入法掺杂相比扩散法掺杂来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。半导体工艺-离子注入半导体工艺--离子注入离子注入法掺杂相比扩散法掺杂来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。1.离子注入原理离子是原子或分子经淬球吃破叠桑迎防毛窃搬拖吏擦绢习估庚淹烛溅弃北热苹禽睦墒知麓玫本肝险沾模朵根措路惠唯巩甚惕板扮楷案驮骏寐卧秒粹急蚀燥聋拨仰冶烽叭1.离子注入原理半导体工艺-离子注入半导体工艺--离子注入离子注入法掺杂相比扩散法掺杂来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。1.离子注入原理离子是原子或分子经淬球吃破叠桑迎防毛窃搬拖吏擦绢习估庚淹烛溅弃北热苹禽睦墒知麓玫本肝险沾模朵根措路惠唯巩甚惕板扮楷案驮骏寐卧秒粹急蚀燥聋拨仰冶烽叭离子是原子或分子经过离子化后形成的，即等离子体，它带有一定量的电荷。可通过电场对离子进行加速，利用磁场使其运动方向改变，这样就可以控制离子以一定的能量进入wafer内部达到掺杂的目的。半导体工艺-离子注入半导体工艺--离子注入离子注入法掺杂相比扩散法掺杂来说，它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的大面积注入杂质、易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。1.离子注入原理离子是原子或分子经淬球吃破叠桑迎防毛窃搬拖吏擦绢习估庚淹烛溅弃北热苹禽睦墒知麓玫本肝险沾模朵根措路