一、摘要1.本實驗利用電化學沉積法於ITO-氧化物上成長AgInSe2應用於半導體敏化式太陽能電池，討論氧化物及電解質變數對SSSC效能的影響。二、前言染料敏化太陽能電池(DSSC)，利用染料當光敏化劑，由染料覆蓋著二氧化鈦奈米粒子，染料分子吸收太陽光，但在太陽光長期照射下也會有分解之虞，染料在DSSC系統上成本依然偏高，由於染料開發不易，且價格昂貴。利用半導體量子點或薄層結構為光敏化劑，此系統稱為semiconductor-sensitizedsolarcells，簡稱SSSC。SSSC:三、實驗步驟基板前的處理四、材料與藥品二氧化鈦(P25)二氧化鈦(ST-01)五氧化二鈮Nb2O5(Niobium(V)oxide,-325mesh,99.9%)二氧化錫SnO2(Tin(IV)oxide,nanopowder,<100nm(BET)氧化鋅ZnO(Zinkoxid,99.0%)異丙醇鈦(Titanium(IV)isopropoxide，TTIP)乙醯丙酮Acetylacetone,AcAc(99.00%，Fluka)無水乙醇C2H5OH(Ethanol),95%硝酸銀AgNO3(Silvernitrate,99.50%)硝酸銦In(NO3)3(indiumnitrate,99.99%)二氧化硒O2Se(Selenium(IV)oxide,99.8%)硝酸鉀KNO3(PotassiumNitrate,99.0%,日本試藥)三乙醇胺N(CH2CH2OH3)3,TEA(99.00%，Merck)硝酸HNO₃(nitricacid)2024/9/15五、結果與討論圖1.P25、ST-01、Nb2O5、SnO2、ZnO之XRD圖譜圖2.(a)P25旋轉塗佈於ITO基板上(b)在P25上電沉積AgInSe2圖3.(a)ST-01旋轉塗佈於ITO基板上(b)在ST-01上電沉積AgInSe2圖4.(a)Nb2O5旋轉塗佈於ITO基板上(b)在Nb2O5上電沉積AgInSe2圖5.(a)SnO2旋轉塗佈於ITO基板上(b)在SnO2上電沉積AgInSe2圖6.(a)ZnO旋轉塗佈於ITO基板上(b)在ZnO上電沉積AgInSe2[Co2+],M[Co2+],MTimeT(℃)六、結論1.由UV-Vis分析結果得知P25樣品能帶間隙為3.41eV及3.21eV、ST-01樣品能帶間隙為3.20eV、Nb2O5樣品能帶間隙為3.10eV及3.35eV、SnO2樣品能帶間隙為3.62eV、ZnO樣品能帶間隙為3.15eV。2.在鈷離子濃度為0.3M時，Co2+:0.273M、Co3+:0.027M，有最好的光電轉換效率。3.在測試的5個氧化物中，P25效率最好為0.039%與最差為SnO2效率0.023%，且前者效率較後者效率增加60%。4.電沉積AgInSe2前浸泡時間，最佳效率為浸泡15min之樣品，其效率可達0.056%，1min之樣品只有0.039%。5.450℃為ITO-TiO2樣品的最佳煅燒溫度，顯現最高的光催化性能。6.塗佈2層為ITO-TiO2樣品的最佳層數，顯現最高的光催化性能。七、參考文獻[1]陳陵援，溫室氣體減量壓力對台灣產業發展的淺在衝擊，工研院簡報，2004[2]M.Grätzel,Poweringtheplanet,Nature.403,363,2000.[3]98全國能源會議能源科技與產業發展核心議題總結報告[4]D.M.Chapin,C.S.Fuller,G.L.Pearson,J.ApplPhys.ANewSiliconpnJunctionPhotocellforConvertingSolarRadiationintoElectricalPower.25,676,1954.[5]H.Tsubomura,M.Matsumura,Y.Nomura,T.Amamiya,Dyesensitisedzincoxide:aqueouselectrolyte:platinumphotocell,Nature.261,402,1976.[6]B.O'Regan,M.Grätzel,Alow-cost,high-efficiencysolarcellbasedondye-sensitizedcolloidalTiO2films,Nature.353,737,1991.[7]M.K.Nazeeruddin,F.D.Angelis,S.Fantacci,A.Selloni,G.Viscardi,P.Liska,S.Ito,B.Takeru,M.Grätzel,,J.Am.Chem.CombinedExperimentalandDFT-TDDFTComputational