提高内量子效率(IQE)LED外延结构的内量子效率(IQE)对芯片的发光亮度有着决定性的影响。有些人误解为IQE由MOCVD工艺决定，其实IQE应该是由外延材料的设计决定。而国内缺少的恰恰是外延结构的设计人才，只会用设备的人不一定能够长出高质量的材料。半导体材料的选择直接带隙材料的导带底与价带顶在同一K空间，电子与空穴可以有效地再复合，跃迁复合发光概率大。发光复合发光概率大对提高发光效率是必要的，因此发光二极管经常用直接跃迁型能带结构的晶体制作。内量子效率的定义直接跃迁过程比间接跃迁过程简单，其内量子效率取决于少数载流子的辐射复合与非辐射复合的寿命。直接跃迁的内量子效率可以表示为间接跃迁的复合辐射过程是通过一些发光中心来实现的，这就使得过程复杂化，间接跃迁过程的内量子效率可粗略地表示为复合的类型辐射型复合因杂质而产生的发光再复合过程辐射和非辐射之间的竞争决定了LED的内量子效率：式中，——非辐射复合中心密度——非辐射复合中心能级密度——辐射复合中心密度——辐射复合中心能级密度——非辐射复合概率——辐射复合概率n、p——自由电子和空穴浓度由内量子效率的表达式可以显而易知，发光中心密度大，非辐射复合中心密度小，发光中心浅，自由电子密度越大，则内量子效率越高。制作发光二极管的原材料和各道加工工艺均要避免非辐射复合中心如位错和深能级杂质的引入，这是提高内量子效率的重要措施。异质结构双异质结构利用异质结构，会使得材料组分的变化引起带隙的变化。当然，单异质结构和双异质结构都要求材料之间具有较好的晶格匹配。晶格常数相差较大，异质界面上会产生很高的缺陷（通常是位错）密度，晶格缺陷会导致非辐射复合。双异质结构中的有源层变薄能增加辐射复合概率和减小再吸收。量子阱电子阻挡层的量子阱多量子阱光子循环改进内部结构简单介绍一下材料参数和结构对IQE的影响活性层（ActiveLayer）覆层参杂晶体中杂质和缺陷PN结移位：PN结移位会影响IQE，特别是Zn、Be等小原子，可以轻易扩散过活性层(AL)，到下覆层(CL)。同时，Zn、Be的扩散系数非常依赖浓度，当浓度超过极限，扩散速度大大提高，所以制造时必须格外小心。材料中存在红外辐射复合中心和非辐射复合中心会减低可见光的发光效率。缓冲层LED对外延片的技术要求