准谐振反激的原理(完整版)实用资料.doc
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准谐振反激的原理(完整版)实用资料(可以直接使用,可编辑完整版实用资料,欢迎下载)准谐振反激的原理、应用及参数计算时间:2021-09-0717:23:42来源:如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET(VDS)漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值开关(ValleySwitching)或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、应用及参数计算方面的知识。准谐振QRQ(Quasi)R(resonant)主要是降低mosfet的开关损耗,而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电容。从上图中,大家可以讨论一下,一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产生的。在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内,寄生电容将会跟VDC周围的主要电感产生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化,但始终具有相当大的数值。当下一个周期MOSFET导通时间开始时,寄生电容会通过MOSFET放电,产生很大的电流尖峰。由于这个电流出现时MOSFET存在一个很大的电压,该电流尖峰因此会做成开关损耗。从上面的图可以看到,准谐振跟一般的传统反激原理基本一样。Lleak是初级漏感,Rp是初级电阻,Cp是谐振电容;当副边绕组中的能量释放完毕之后(即变压器磁通完全复位),在开关管的漏极出现正弦波振荡电压,振荡频率由LP、CP决定,衰减因子由RP决定。对于传统的反激式变换器,其工作频率是固定的,因此开关管再次导通有可能出现在振荡电压的任何位置(包括峰顶和谷底)。手工计算了一个反激电源的补偿参数,用的双极点双零点方式。先传我的计算过程和画的伯德图吧,大家找找里面的错误吧。公式编辑器,在这里看不到,就转成图片格式来看,看不清的地方,请看附件完整版,谢谢图片有些看不到,这个转成PDF格式的,看这个吧1.原理图2.技术指标(1输入电压:185VAC~240VAC(2输出电压1:+5VDC,额定电流1A,最小电流750mA;(3输出电压2:+12VDC,额定电流1A,最小电流100mA;(4输出电压3:-12VDC,额定电流1A,最小电流100mA;(5输出电压4:+24VDC,额定电流1.5A,最小电流250mA;(6输出电压纹波:+5V,±12V:最大100mV(峰峰值;+24V:最大250mV(峰峰值(7输出精度:+5V,±12V:最大±5%;+24V:最大±10%;(8效率:大于80%3.参数计算(1输出功率:5V112V1224V1.565outPAAAW=⨯+⨯⨯+⨯=(3-1(2输入功率:6581.2580%0.8outinPWPW===(3-2(3直流输入电压:采用单相桥式不可控整流电路(max240VAC1.414=340VDCinV=⨯(3-3(min185VAC1.414=262VDCinV=⨯(3-4(4最大平均电流:(max(min81.250.31262inininPWIAVV===(3-5(5最小平均电流:(min(maxinininPWIAV===(3-6(6峰值电流:可以采用下面两种方法计算,本文采用式(3-8的方法。IIAVDVVV⨯======⨯(3-7IIAVV⨯====(3-8(7散热:基于MOSFET的反激式开关电源的经验方法:损耗的35%是由MOSFET产生,60%是由整流部分产生的。开关电源的损耗为:(180%81.2520%16.25DinPPWW=⨯-=⨯=(3-9MOSFET损耗为:35%16.2535%5.69DMOSFETDPPWW-=⨯=⨯=(3-10整流部分损耗:(555(60%(16.2560%0.756565DVDWWPPWWWW+=⨯⨯=⨯⨯=(3-11(1212122(60%2(16.2560%3.66565DVDWWPPWWWW±=⨯⨯⨯=⨯⨯⨯=(3-12(2423636(60%(16.2560%5.46565DVDWWPPWWWW+=⨯⨯=⨯⨯=(3-13(8变压器磁芯:采用天通的EER40/45,饱和磁通密度Bs在25℃时大于500mT,在100℃时大于390mT。窗口有效截面积Ae=152.42mm2。所以,取max11sBBTT==⨯≈(3-14Ae=152.42mm2(3-15(9开关电源频率:40fkhz=(3-16(10开关电源最大占空比:max0.4D=(3-17(11初级绕组电感最小值Lpri:in(minmaxpripk2620.4AKHz