第四节场效应晶体管（一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理2.工作原理（2）栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用（3）漏源电压uDS对漏极电流iD的影响可变电阻区（非饱和区）截止区2.转移特性（三）N沟道增强型MOS管的主要参数1.直流参数3.极限参数是指在uDS=0时，栅源极间绝缘层发生击穿，产生很大的短路电流所需的uGS值。击穿将会损坏管子。（四）N沟道耗尽型MOS管输出特性3.主要参数二、结型场效应管当uGS=0时，就有导电沟道存在，故而这种管子也属于耗尽型场效应管。三、场效应管的特点本节要点输出特性本章小结将两种杂质半导体制作在同一个硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，扩散运动和漂移运动达到动态平衡，从而形成PN结。二、半导体二极管三、晶体管四、场效应管