第二章逻辑门电路1、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。可见，二极管在电路中表现为一个受外加电压vi控制的开关。当外加电压vi为一脉冲信号时，二极管将随着脉冲电压的变化在“开”态与“关”态之间转换。这个转换过程就是二极管开关的动态特性。（二）二极管开关的动态特性2.产生反向恢复过程的原因：反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。二．三极管的开关特性此时，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区，其特点为IC＝βIB。三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES。三极管工作在饱和状态的电流条件为：IB＞IBS电压条件为：集电结和发射结均正偏高电平为逻辑0，低电平为逻辑1为负逻辑。瞬间开始，到集电极电流iCts为存储时间，tt称为渡越时间，tre＝ts十tt称为反向恢复时间。∵IB＞IBS∴三极管饱和。8k，再将Rb改为60k，重复以上计算。∵IB＜IBS∴三极管处在放大状态。:MOS管截止，输出高电平即在VI一定（要保证发射结正偏）和VCC一定的条件下，Rb越小，β越大，RC越大，三极管越容易饱和。可见，二极管在电路中表现为一个受外加电压vi控制的开关。ts和tf之和称为关闭时间toff即toff=ts+tf。（一）二极管的静态开关特性7V时，集电结变为零偏，称为临界饱和状态，对应图（b）中的E点。（1）截止状态：当VI小于三极管发射结死区电压时，IB＝ICBO≈0，IC＝ICEO≈0，VCE≈VCC，三极管工作在截止区，对应图1.解：根据饱和条件IB＞IBS解题。（3）将RC改为6.8k，再将Rb改为60k，重复以上计算。（二）三极管的动态特性1、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。（2）放大状态：当VI为正值且大于死区电压时，三极管导通。（2）上升时间tr——二．三极管的开关特性例1电路及参数如图所示，设输入电压VI=3V，三极管的VBE=0.二极管相当于一个闭合的开关。8k，再将Rb改为60k，重复以上计算。其特点为IC＝βIB。(2)加反向电压VR时，二极管截止，反向电流IS可忽略。三极管的开启时间和关闭时间总称为三极管的开关时间，一般为几个纳秒到几十纳秒。使二极管开关速度受到限制即在VI一定（要保证发射结正偏）和VCC一定的条件下，Rb越小，β越大，RC越大，三极管越容易饱和。瞬间开始，到集电极电流iC∵IB＞IBS∴三极管饱和。MOS管相当于一个由vGS控制的2、逻辑门电路的分类三极管的开启时间和关闭时间总称为三极管的开关时间，一般为几个纳秒到几十纳秒。三.MOS开关的开关特性(2)加反向电压VR时，二极管截止，反向电流IS可忽略。∵IB＞IBS∴三极管饱和。瞬间开始，到集电极电流iC三极管的开启时间和关闭时间总称为三极管的开关时间，一般为几个纳秒到几十纳秒。该电路的则饱和条件可写为：ts为存储时间，tt称为渡越时间，tre＝ts十tt称为反向恢复时间。三极管的开启时间和关闭时间总称为三极管的开关时间，一般为几个纳秒到几十纳秒。同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为开通时间。∵IB＜IBS∴三极管处在放大状态。8k，再将Rb改为60k，重复以上计算。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计。二极管相当于一个闭合的开关。8k，再将Rb改为60k，重复以上计算。解：根据饱和条件IB＞IBS解题。此时的集电极电流称为集电极饱和电流，用ICS表示，基极电流称为基极临界饱和电流，用IBS表示，有:用H和L分别表示高、低电平正负逻辑的概念：用H和L分别表示高、低电平规定高电平为逻辑1，低电平为逻辑0，就是正逻辑；高电平为逻辑0，低电平为逻辑1为负逻辑。一．正与门电路二．正或门电路三、三极管非门电路