第二章逻辑门电路1、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。∵IB＞IBS∴三极管饱和。例1电路及参数如图所示，设输入电压VI=3V，三极管的VBE=0.MOS管相当于一个由vGS控制的（2）上升时间tr——使二极管开关速度受到限制∵IB＞IBS∴三极管饱和。ts和tf之和称为关闭时间toff即toff=ts+tf。ts为存储时间，tt称为渡越时间，tre＝ts十tt称为反向恢复时间。第二节基本逻辑门电路(2)加反向电压VR时，二极管截止，反向电流IS可忽略。ts和tf之和称为关闭时间toff即toff=ts+tf。1、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。高电平为逻辑0，低电平为逻辑1为负逻辑。:MOS管截止，输出高电平（3）存储时间ts——∵IB＞IBS∴三极管饱和。可见，二极管在电路中表现为一个受外加电压vi控制的开关。当外加电压vi为一脉冲信号时，二极管将随着脉冲电压的变化在“开”态与“关”态之间转换。这个转换过程就是二极管开关的动态特性。（二）二极管开关的动态特性2.产生反向恢复过程的原因：反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。二．三极管的开关特性此时，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区，其特点为IC＝βIB。三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏此时的集电极电流称为集电极饱和电流，用ICS表示，基极电流称为基极临界饱和电流，用IBS表示，有:∵IB＞IBS∴三极管饱和。∵IB＞IBS∴三极管饱和。MOS管相当于一个由vGS控制的2、逻辑门电路的分类此时的集电极电流称为集电极饱和电流，用ICS表示，基极电流称为基极临界饱和电流，用IBS表示，有:这个转换过程就是二极管开关的动态特性。三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏在数字电路中总是合理地选择这几个参数，使三极管在导通时为饱和导通。∵IB＜IBS∴三极管处在放大状态。（一）二极管的静态开关特性电压条件为：集电结和发射结均正偏:MOS管截止，输出高电平解：根据饱和条件IB＞IBS解题。（3）将RC改为6.8k，再将Rb改为60k，重复以上计算。（1）延迟时间td——ts和tf之和称为关闭时间toff即toff=ts+tf。（2）上升时间tr——:MOS管截止，输出高电平∵IB＞IBS∴三极管饱和。在数字电路中总是合理地选择这几个参数，使三极管在导通时为饱和导通。:MOS管截止，输出高电平高电平为逻辑0，低电平为逻辑1为负逻辑。射极耦合逻辑门电路(自学)（一）二极管的静态开关特性其特点为IC＝βIB。（3）存储时间ts——规定高电平为逻辑1，低电平为逻辑0，就是正逻辑；此时，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。使二极管开关速度受到限制反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。ts和tf之和称为关闭时间toff即toff=ts+tf。是存储电荷消散时间三.MOS开关的开关特性MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关。正负逻辑的概念：用H和L分别表示高、低电平规定高电平为逻辑1，低电平为逻辑0，就是正逻辑；高电平为逻辑0，低电平为逻辑1为负逻辑。一．正与门电路二．正或门电路三、三极管非门电路