微纳制造技术掺杂掺杂分散Frank-Turnbull机制3m)线条较粗（≥3m）入射离子与晶格碰撞产生原子移位,形成损伤。预沉积与推进后浓度与深度关系离子注入后的损伤与退火主要用于结较深（≥0.替位式杂质又称慢扩散杂质，间隙式杂质又称快扩散杂质，工艺中作为掺杂一般选择慢扩散杂质，工艺容易控制3m)线条较粗（≥3m）当杂质浓度等于衬底浓度时,对应的深度为xj主要用于结较深（≥0.ImplantationDamage一次缺陷primarydefects离子源(BF3,AsH3,PH3)注入深度取决于加速管的电场能量点缺陷重新组合并扩展形成的，如位错环杂质扩散源掺杂机制两种扩散机制并存一维扩散模型D的温度依赖性预沉积分布余误差函数预沉积预沉积与推进后浓度与深度关系结深计算也叫发射区推进效应扩散分布的测试分析扩散系统半导体加工工艺原理定义离子注入的优点离子注入离子注入机种类：离子注入系统主要适用于浅结细线条图形O,Au,Fe,Cu,Ni,Sn,MgP,B,As,Al,Ga,Sb,Ge硅原子挤走杂质，杂质再填隙替位式杂质又称慢扩散杂质，间隙式杂质又称快扩散杂质，工艺中作为掺杂一般选择慢扩散杂质，工艺容易控制利用强电场使离子加速获得足够的能量能够穿跃整个系统并注入靶中ImplantationDamage离子源(BF3,AsH3,PH3)入射离子与晶格碰撞产生原子移位,形成损伤。从1010到1017个/cm2,误差+/-2%之间扩散层的主要参数及检测一次缺陷primarydefects替位式杂质又称慢扩散杂质，间隙式杂质又称快扩散杂质，工艺中作为掺杂一般选择慢扩散杂质，工艺容易控制P,B同时靠这两种机制扩散入射离子与晶格碰撞产生原子移位,形成损伤。库仑散射与离子能量损失机理利用强电场使离子加速获得足够的能量能够穿跃整个系统并注入靶中硅原子挤走杂质，杂质再填隙加速器注入剂量剂量的控制库仑散射与离子能量损失机理垂直射程垂直投影射程MonteCarloSimulationof50keVBoronimplantedintoSi离子注入损伤与退火ImplantationDamageImplantationDamageImplantationDamageRapidThermalProcessing离子注入的应用举例离子注入的应用举例谢谢