国立成功大学发展国际一流大学及顶尖研究中心计画.doc
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國立成功大學「發展國際一流大學及頂尖研究中心計畫」獎勵學術期刊論文發表補助電資學院系/所申請表ㄧ、論文發表序號篇名作者期刊名稱;發表年份;卷數:起迄頁數加權分數(J,計算方式請二者擇一)「著作貢獻指標」(A)分數JxA研究成果分類補助額度(S)(註)補助金額JxAxS(單位:萬元)「期刊分類排名」「影響係數」HfSiONn-MOSFETsUsingLowWorkFunctionHfSixGateC.H.Wu,B.F.Hung,AlbertChin,S.J.Wang,F.Y.Yen,Y.T.Hou,Y.Jin,H.J.Tao,S.C.Chen,andM.S.LiangIEEEElectronDeviceLetters,Vol.27,No.9,pp.762-764,September2006.subjectcategoryENGINEERING,ELECTRICAL&ELECTRONIC,ranking7/208=3.36%,J=32IF()*4J=1(本人為指導學生外第三作者,C.H.Wu為本人指導學生)320.154.8ANovelPlanarThree-wayPowerDividerJui-ChiehChiu,Jih-MingLin,andYeong-HerWangIEEEMicrowaveandWirelessComponentsLetters,vol.16,no.8,pp449-451,Aug.2006subjectcategoryENGINEERING,ELECTRICAL&ELECTRONIC,ranking43/208=20.5%,J=8IF()*4J=3(本人為通信作者240.153.6ElectrochemicalSynthesisofGoldNanocubesChien-JungHuang,Yeong-HerWang,,Pin-HsiangChiu,Ming-ChangShihandTeen-HangMeenMaterialsLettersVol.60,Issue15,July2006,pp1896-1900.subjectcategoryMATERIALSSCIENCE,MULTIDISCIPLINARY,ranking56/178=31.46%,J=82(本人為為第二作者,)160.152.4Thermalelectro-feedbackmodelformulti-emitterfingerpowerheterojunctionbipolartransistor.PartI:TemperatureprofileK.F.Yarn,Y.H.Wang,M.P.HoungandB.K.Lew,InternationalJournalofElectronics,Vol.93,No.7,pp439-455,July,2006subjectcategoryENGINEERING,ELECTRICAL&ELECTRONIC,ranking177/208=85%,J=22(本人為第二作者)40.150.6Thermalelectric-feedbackmodelformulti-emitterfingerpowerheterojunctionbipolartransistor,PartIIK.F.Yarn,K.L.Lew,Y.H.WangandM.P.Houng,InternationalJournalofElectronics,Vol.93,No.9,pp581-585,Sep.2006subjectcategoryENGINEERING,ELECTRICAL&ELECTRONIC,ranking177/208=85%,J=2(IF:0.213)2(Lew係本人指導研究生)40.150.6Investigationofthermaleffectsonthesingle-fingerheterojunctionbipolartransistorsK.F.Yarn,K.L.Lew,Y.H.WangandM.P.Houng,InternationalJournalofElectronics,Vol.93,No.8,pp521-532,.Oct.2006subjectcategoryENGINEERING,ELECTRICAL&ELECTRONIC,ranking177/208=85%,J=22(Lew係本人指導研究生)40.150.6A3dBQuadratureCouplerSuitableforPCBCircuitDesignJui-ChiehChiu,Chih-MingLinandYeong-HerWangIEEETransactiononMicrowa