第八章半导体制造工艺第十章半导体制造工艺工艺概述1集成电路研制过程工艺概述1—分类制造工艺概述2—工序类型工艺概述3—工序类型第十章半导体制造工艺10.1几个基本工艺步骤光刻沟槽隔离—SOICMOS(见下下图)连线的寄生效应1—寄生电容回路电压大于临界触发电压措施：场氧化前场区注入衬底相同的杂质，提高场区衬底的浓度，以提高场开启电压。过程：原始晶片（wafer）—芯片加工—中测名词：有源区、场区、硅栅工艺、自对准工艺其它：Bi-CMOS工艺、SOI-CMOS工艺、厚膜工艺、薄膜工艺等1集成电路制作中的几个基本工艺步骤1，场区寄生MOS晶体管CMOS(主流工艺)功耗低、抗干扰能力强、输出电压范围宽内因：纵横寄生晶体管的电流增益大于1数字化（版图图形文件）回路电压大于临界触发电压第十章半导体制造工艺10.2CMOSIC工艺流程P阱工艺P阱工艺2N阱工艺和双阱工艺第十章CMOSIC工艺流程及寄生效应（可选）10.3CMOSIC中的寄生效应体硅CMOS中的寄生锁定效应1体硅CMOS中的寄生锁定效应2体硅CMOS中的寄生锁定效应3双阱CMOS工艺图10-2-5以P阱CMOS工艺为例沟槽隔离—SOICMOS(见下下图)N阱CMOS工艺图10-2-40集成电路制造工艺概述薄膜制备工艺（外延、氧化、化学气相淀积、蒸发、溅射）PMOS管做在N阱中。版图预览MICROWIND录像片：IC工艺步骤3CMOSIC中的寄生效应1，场区寄生MOS晶体管连线的寄生效应2—寄生电阻体硅CMOS中的寄生锁定效应33CMOSIC中的寄生效应成果：管芯(chip)图10-2-1内因：纵横寄生晶体管的电流增益大于1回路电压大于临界触发电压10.3.2锁定效应510.3.3.连线的寄生效应1—寄生电容10.3.3.连线的寄生效应1—寄生电容10.3.3.连线的寄生效应1—寄生电容10.3.3.连线的寄生效应2—寄生电阻10.3.3.连线的寄生效应10—寄生电感