一、普通CVDNi(CO)4(气)190～240℃Ni(固)＋4CO↑CH4(气)900~1200℃C(固)＋2H2↑TiI4(气)加热Ti(固)＋2I2↑用作热分解反应沉积的气态化合物原料主要有：硼的氯化物，氢化物；第IV族大部分元素的氢化物和氯化物；VB、VIB族的氢化物和氯化物；铁、镍、钴的羰基化合物和羰基氯化物；以及铁、镍、铬、铜等的金属有机化合物等。（2）化学反应沉积（3）沉积条件2.沉积装置反应器的类型：沉积过程：3.分类4.影响沉积膜质量的因素（2）反应气体的比例及浓度（3）基体对沉积膜层的影响5.CVD的优缺点二、等离子体化学气相沉积（PECVD）（3）性质及应用3.PECVD装置4.PECVD的特点三、光CVD（PCVD）（1）成膜反应过程（3）装置2.直接光解反应几种成膜技术的比较制膜主要工艺参数比较谢谢！