第六章基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例6.1S3C44B0X处理器介绍6.1.1SamsungS3C44B0X简介6.1.2SamsungS3C44B0X特点二、系统（存储）管理支持大、小端模式（通过外部引脚来选择）；地址空间：包含8个地址空间，每个地址空间的大小为32M字节，总共有256M字节的地址空间；所有地址空间都可以通过编程设置为8位、16位或32位宽数据对准访问；8个地址空间中，6个地址空间可以用于ROM、SRAM等存储器，2个用于ROM、SRAM、FP/EDO/SDRAM等存储器；7个起始地址固定及大小可编程的地址空间；1个起始地址及大小可变的地址空间；所有存储器空间的访问周期都可以通过编程配置；提供外部扩展总线的等待周期；在低功耗的情况下支持DRAM/SDARM自动刷新；支持地址对称或非地址对称的DRAM。三、Cache和片内SRAM4路组相联统一的8KB指令/数据Cache；未作为Cache使用的0/4/8KbytesCache存储空间可作为片内SRAM使用；Cache伪LRU（最近最少使用）的替换算法；通过在主内存和缓冲区内容之间保持一致的方式写内存；具有四级深度的写缓冲；当缓冲区出错时，请求数据填充。2个带有握手协议的UART，1个SIO；elseif(rxstat&RX_ERR)5S3C44B0XLCD控制操作1个多主的IIC总线控制器；*名称:read_usb/******************************************************************************if(COMfront[2]>64)rPUPG＝rPUPG&0xfe;//GPG0上拉电阻有效bHandlerIRQ@中断向量对于彩色STNLCD板，支持256级彩色；rWTCON=((MCLK/1000000-1)<<8)|(3<<3)|(1);//1/66/128,resetenable/*设置BDMA中断*/4S3C44B0X存储控制器的特殊功能寄存器十六、SIO（同步串行I/0）1路基于DMA或基于中断的SIO；波特率可编程；支持8位SIO的串行数据传送/接收操作。十七、操作电压范围内核：2.5V；I/O：3.0V～3.6V。十八、运行频率最高达66MHz。十九、封装160LQFP/160FBGA。6.1.3S3C44B0X功能结构框图2S3C444B0XZDMA/BDMA操作1S3C44B0XPWM定时器概述DMA的主要优势是它可以在无CPU干涉的情况下传送数据。VFRAME和VLINE脉冲的产生受LCDCON2寄存器中HOZVAL域和LINEVAL域配置的控制。write_usb(RXC3,RX_EN);//重新使能接收器PUPF地址：0x01D2003C3S3C44B0X存储控制器功能描述突发传送模式提高了FPDRAM、EDODRAM和SDRAM的传送率；在传送模式下，数据被传送后，IIC接口将处于等待状态直到有一个新数据写入IICDS（IIC数据转移寄存器）。Fpllo＝(m*Fin)/(p*2s)5S3C44B0XA/D转换器应用编程2S3C444B0X时钟电源管理器功能描述端口上拉寄存器控制着每一个端口组的上拉寄存器的使能端。循环复位功能iGetACK＝0;闰年产生器一、总线控制信号S3C44B0的X总线控制信号的引脚二、DRAM/SDRAM/SRAM三、LCD控制信号四、TIMER/PWM控制信号五、中断控制信号六、DMA控制信号的引脚6.2S3C44B0X存储控制器功能及应用开发6.2.1S3C44B0X存储控制器概6.2.2S3C44B0X存储器空间划分简述6.2.3S3C44B0X存储控制器功能描述6.2.4S3C44B0X存储控制器的特殊功能寄存器6.2.5S3C44B0X存储器应用编程13个存储控制寄存器的配置示例6.3S3C44B0XI/O端口功能及应用开发6.3.1S3C444B0XI/O功能概述6.3.2S3C444B0X端口功能配置6.2.3S3C44B0X存储控制器功能描述6.3.4S3C444B0XI/O端口的特殊功能寄存器6.3.5S3C444B0XI/O端口应用编程6.4S3C44B0XDMA功能及应用开发6.4.1S3C444B0XDMA概述6.4.2S3C444B0XZDMA/BDMA操作6.4.3S3C444B0XDMA特殊功能寄存器6.4.4S3C444B0XDMA应用编程6.5S3C44B0XUART接口功能及应用开发6.5.1S3C444B0XUART概述6.5.2S3C444B0