该图的说明a沟道长度3λbGS/GD覆盖λcp+，n+最小宽度3λdp+，n+最小间距3λep阱与n+区间距2λf孔距扩散区最小间距2λgAl覆盖孔λ孔2λ×3λ或3λ×3λhAl栅跨越p+环λiAl最小宽度4λjAl最小间距3λ2)铝栅、硅栅MOS器件的版图Source/Drain:Photomask(darkfield)Gate:Photomask(darkfield)Contacts:Photomask(darkfield)MetalInterconnects:Photomask(lightfield)硅栅硅栅MOS器件工艺的流程Process(1)刻有源区Process(2)刻多晶硅与自对准掺杂Process(3)刻接触孔、反刻铝4)硅栅MOS版图举例E/ENMOS反相器E/DNMOS反相器制备耗尽型MOS管硅栅CMOS与非门版图举例硅栅P阱CMOS反相器版图设计举例1.刻P阱4.刻PMOS管S、DVDD光刻1与光刻2套刻光刻3与光刻4套刻光刻5与光刻6套刻5)P阱硅栅单层铝布线CMOS的工艺过程CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例2、阱区注入及推进，形成阱区3、去除SiO2，长薄氧，长Si3N4