第6章真空成像器件作为军用夜视和光电子成像技术的重要组成部分,光电子成像器件一直受到各国军界的高度重视和支持。只要伪装好，“高抬腿、轻迈步”，不出声响，就可接近敌人。摄像管的结构和工作原理碲化锌镉靶由哪几部分组成?每部分的作用是什么?注意:通常在电子入射的一边镀上铝层?理解：二次电子传导靶结构、每层作用及工作过程。在慢电子束扫描下，靶的扫描面稳定在零电位，因此靶的两面承受着一定的靶电压。第6章真空成像器件产生惰性的原因：使用方法与使用望远镜相似；PbO靶玻璃内壁是一层金属膜(SnO2:呈N+,透明,导电)作为信号板，接着就是PbO靶，靶的成像面为N-PbO，扫描面为P-PbO，两者之间夹着一层很厚的疏松度为50%的本征I-PbO，因而具有PIN结构。第4层：As2S3层是靶的扫描面，是在高空状态下气湘沉积而成，呈玻璃态，厚微米；光谱响应特性:由光电阴极的响应特性决定，因此描述像管光谱响应性的参量与第5章光电阴极的一致。从而实现图像亮度的增强，使荧光屏发射出强得多的光能。目前生产的视像管大都采用阻挡型靶，由于PN结的存在，降低了暗电流，使靶的性能有所改进而获得广泛应用。像管由三个基本部分组成；灵敏度高,波长响应范围较宽电子光学系统对电子施加很强电场，使电子获得能量，因而能将光电阴极发出的电子束加速并聚焦成像在荧光屏上；从而实现图像亮度的增强，使荧光屏发射出强得多的光能。P-1:ZnS:AgP-2:(Zn•Cd)S:AgP-3:ZnS:Cu通断的频率在光照强时较高，光照弱时较低，以便在光照极强时减少进入微通道板的电子流，避免其饱和。穿透Al2O3和Al膜消耗2keV，2keV消耗于穿透SEC靶，能产生二次电子的能量为4keV每个P型岛与N型衬底之间即形成一个PN结,每个PN结就是一个光电二极管。摄像管的工作原理是什么?在慢电子束扫描下，靶的扫描面稳定在零电位，因此靶的两面承受着一定的靶电压。工作原理:工作时靶上加10V左右的反向偏压。因此,作为现代信息科学的一个重要内容,光电子成像技术一直受到人们的普遍关注,发展异常迅速。“白天是敌人的，晚上是我们的”传统作战经验；（3）位置敏感传感器像管像管由三个基本部分组成；加电子流密度进行图像增强。负电子亲和势（NEA）光电阴极氧化铅结构和工作过程；(2)第2代像增强器（微通道板像增强器）像管置于完全黑暗的环境中，加上电压后，荧光屏上会发出一定亮度的光。第1层是Al2O3膜，起机械支撑作用，厚50～70nm；M的定义是，光信息的最大值A与光信息最小值B之差对A、B之和的百分比。像管置于完全黑暗的环境中，加上电压后，荧光屏上会发出一定亮度的光。这种光称为像管的暗背景。1.常见变像管双近贴式像增强器，用微通道板代替电子光学系统，实现电子图像增强。暗背景的存在，使图像的对比度下降，图像太微弱时可能淹没在背景中不能辨别。P-2:(Zn•Cd)S:AgP-3:ZnS:Cu注意:通常在电子入射的一边镀上铝层?PbO靶玻璃内壁是一层金属膜(SnO2:呈N+,透明,导电)作为信号板，接着就是PbO靶，靶的成像面为N-PbO，扫描面为P-PbO，两者之间夹着一层很厚的疏松度为50%的本征I-PbO，因而具有PIN结构。结靶：硒砷碲靶、硒化镉靶、碲化锌镉靶；这种管子极限分辨率可从放大率为1的40线对/毫米,提高到放大率为时的400线对/毫米。观察远处景物时，须用它直接面对着景物。光电发射型摄像管靶--存储靶摄像管灵敏度S可用下式表示：摄像管的关键器件是靶，光电导型摄像管和光电发射型摄像管的靶的作用、结构均不相同与连续直流电源不同，加在光电阴极上的自动通断的电压是脉冲式的，即电源感知进入像管的光量，自动高速接通和切断。注意:通常在电子入射的一边镀上铝层?2.常见像增强器(2)第2代像增强器（微通道板像增强器）通断的频率在光照强时较高，光照弱时较低，以便在光照极强时减少进入微通道板的电子流，避免其饱和。于是，使用者始终看到均匀一致的图像。3.特殊变像管三摄像管视像管的特点：结构简单、体积小、使用方便，在工业电视中被广泛应用。从电子枪发射出来的电子束依次沿着靶面扫描，扫描线经过某一点的时间只占扫描整个光敏面所需周期的极小部分（0.062）1.被摄景物经过变焦镜头成像在靶面上，引起靶面各点像素的电阻率发生变化，从而在扫描面上，产生相应的起伏电位，形成电荷图像。目前生产的视像管大都采用阻挡型靶，由于PN结的存在，降低了暗电流，使靶的性能有所改进而获得广泛应用。工作原理:工作时靶上加10V左右的反向偏压。无光时，电子枪扫描P区时使之达到阴极电位，这时PN结反偏，耗尽层变宽,因此仅有暗电流存在;PbO靶玻璃内壁是一层金属膜(SnO2:呈N+